產(chǎn)品時(shí)間:2021-02-24
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廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
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高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀 LT-1
1、概述
LT-1高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀是參照半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織SEMI標(biāo)準(zhǔn)(F28-75)及標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553-1997設(shè)計(jì)制造。本設(shè)備采用高頻光電導(dǎo)衰減測(cè)量方法,適用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)量,硅單晶壽命測(cè)量ρ≥2Ω·cm,由于對(duì)樣塊體形無嚴(yán)格要求,因此廣泛應(yīng)用于工廠的常規(guī)測(cè)量。壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及缺陷存在的情況,是單晶質(zhì)量的重要檢測(cè)項(xiàng)目。
高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀 LT-1
2、技術(shù)參數(shù)
(1)壽命測(cè)試范圍:5~10000μs;電阻率測(cè)量范圍:ρ≥2Ω·cm
測(cè)電子級(jí)參雜硅單晶片(厚度小于1mm),電阻率范圍:ρ>0.1Ω·cm(表面可能需要拋光處理)
測(cè)量重復(fù)性誤差≤±20%
(2)光脈沖發(fā)生裝置
重復(fù)頻率>20~30次/s,光脈沖關(guān)斷時(shí)間:0.2~1μs,余輝<1μs
紅外光源波長:1.06~1.09μm(測(cè)量硅單晶),紅外光在硅單晶內(nèi)穿透深度大于500μm如測(cè)量鍺單晶壽命需另行配置適當(dāng)波長的光源
脈沖電源:5A~20A
(3)高頻源
高頻振蕩源:石英諧振器;頻率:30MHz;低輸出阻抗,輸出功率>1W
(4) 放大器和檢波器
放大倍數(shù)約25倍,頻寬:2Hz~2MHz
(5)儀器配置的光源電極臺(tái)既可測(cè)縱向放置的單晶,亦可測(cè)豎放單晶橫載面的壽命
可測(cè)單晶尺寸:
斷面豎測(cè):直徑25~150,厚度2mm~500mm
縱向臥測(cè):直徑5mm~150mm,長度50mm~800mm
(6)讀數(shù)方式:可選配載流子壽命測(cè)試軟件系統(tǒng)或數(shù)字示波器讀數(shù),軟件系統(tǒng)測(cè)試操作簡單,點(diǎn)擊“測(cè)量”即可,自動(dòng)保存數(shù)據(jù)及相應(yīng)測(cè)試點(diǎn)衰減波形到數(shù)據(jù)庫,可進(jìn)行查詢歷史數(shù)據(jù)和導(dǎo)出歷史數(shù)據(jù)等操作。